0
13. Standardowe napięciukładów TTL: U zasilania, UL w stanie niskim, UH w stanie wysokim wynoszą odpowiednio:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 8. Tranzystory polowe wykazują zależność prądu drenu od napięcibramka-źródło:, 10. Tranzystor MOSFET z kanałem wzbogaconym typu n wymagpolaryzacji:, 7. Charakterystyki wyjściowe tranzystorw układzie wspólny emiter przedstawizależność:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 11. RezystancjwejściowtranzystorMOSFET jest:, 24. Układ inwertera(?) COMS zbudowany jest z:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 9. Tranzystor JFET możnwykorzystać (oprócz wzmacniacza) jako:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 6. Parametr małosygnałowy h22 tranzystorinaczej:, 4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 25. Moc bierna(?) w układach COMS:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około: