0
4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 13. Standardowe napięciukładów TTL: U zasilania, UL w stanie niskim, UH w stanie wysokim wynoszą odpowiednio:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 24. Układ inwertera(?) COMS zbudowany jest z:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 10. Tranzystor MOSFET z kanałem wzbogaconym typu n wymagpolaryzacji:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 11. RezystancjwejściowtranzystorMOSFET jest:, 4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy mwzmocnienie prądowe:, 25. Moc bierna(?) w układach COMS:, 1. Model zastępczy Ebers’Moll’dlprądu stałego składsię z:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 12. Monolityczny bipolarny układ scalony mbudowę optymalną dlefektywnej pracy:, 5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystorpowoduje ładunek:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około:, 6. Parametr małosygnałowy h22 tranzystorinaczej:, 4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancj– gm dlukładu WB podaje zależność pomiędzy:, 3. Napięcie UCE nwyjściu tranzystorkrzemowego w stanie nasyceniwynosi około: